mosfet详解

DNW: Deep N-WELL
就是在NWELL之下还有一层N-的注入。有点象BJT里面的埋层。目的是用DNW来隔离DNW里面的PW和p-衬底,使衬底藕合噪声更小。一般在对噪声比较敏感的芯片上会用到。逻辑芯片一般都不会有的。对于一个对衬底
r!噪声很敏感的电路,那么其周围可能产生噪声的部分自然都需要隔离起来最好。
PMOS也是一样。NWELL是可以隔离,那么下面再有一个DNW也没啥不好的。而且,如果PMOS放到DNW外面,设计规则上还有很多麻烦,因为DNW是需要用NW环绕的。

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图片 1

S:源极

D;漏极

G:栅极

B:衬底

图片 2

 

 

一般出厂后的mosfet芯片它的S极和B极是连在一起的,导致了D极和S极必须要区分开。

图片 3

 

NMOS:

  •     一般S极接地或者输出,D极作为输入。
  •     UG>US时导通,则NMOS管导通,否则NMOS管截止。

        导通:UG比US大3V到5V以上;(信号切换)

        饱和导通:UG比US大10V以上;(电压通断)

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